Name: IPD50N04S4L-08 TO-252 Chíp mạch tích hợp IC mới nguyên chưa sử dụng
Brand: HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
SKU: IPD50N04S4L-08
Availability: InStock

Trang chủ > Các sản phẩm > Mạch tích hợp Ic >

IPD50N04S4L-08 TO-252 Chíp mạch tích hợp IC mới nguyên chưa sử dụng

Nguồn gốc:

Nguyên bản

Hàng hiệu:

INFINEON

Số mô hình:

IPD50N04S4L-08

Liên hệ chúng tôi

Yêu cầu Đặt giá

IPD50N04S4L-08 TO-252 Chíp mạch tích hợp IC mới nguyên chưa sử dụng

Thông tin chi tiết sản phẩm

chất lượng::

Thương hiệu mới chưa sử dụng

Gói hộp::

TO-252

Điều khoản thanh toán & vận chuyển

Số lượng đặt hàng tối thiểu

1 CÁI

Giá bán

Negotiate

chi tiết đóng gói

4000

Thời gian giao hàng

Cổ phần

8000+

Điều khoản thanh toán

D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Khả năng cung cấp

97830 cái

NHỮNG SẢM PHẨM TƯƠNG TỰ

video

BSP613PH6327 SOT223 Chip mạch tích hợp IC

Nhận giá tốt nhất

video

IPD100N04S402ATMA1 Điện tích hợp Ic TO-252

Nhận giá tốt nhất

video

IPD320N20N3G Ic mạch tích hợp TO-252

Nhận giá tốt nhất

video

IPD90P04P4L-04 TO-252 Ic mạch tích hợp trong các trình điều khiển động cơ

Nhận giá tốt nhất

Liên hệ chúng tôi

+8613380499166

kezhiwei@lianyixinic.com

Liên hệ ngay

Mô tả sản phẩm

ISO9001.pdf

Ứng dụng:
IPD50N04S4L-08 là bóng bán dẫn công suất MOSFET kênh N thường được sử dụng trong các mạch chuyển mạch công suất cao như dụng cụ điện, xe điện và nguồn điện.
Phần kết luận:
IPD50N04S4L-08 có ưu điểm là điện trở dẫn thấp, tốc độ chuyển mạch cao và dòng điện rò rỉ thấp, có thể đạt được hiệu quả và độ tin cậy cao khi chuyển đổi nguồn.
Thông số:
Công suất tiêu tán tối đa: 50W
Điện áp xả tối đa: 40V
Dòng xả tối đa: 50A
Điện trở dẫn: 8m Ω
Điện dung đầu vào: 2235pF
Điện dung đầu ra: 345pF
Bao bì:
IPD50N04S4L-08 sử dụng bao bì TO-252, còn được gọi là bao bì DPAK, có thể tích nhỏ và hiệu suất tản nhiệt tốt.

Thông số kỹ thuật sản phẩm

EU RoHS	Tuân thủ miễn trừ
ECCN (Mỹ)	EAR99
Tình trạng một phần	chưa được xác nhận
SVHC	Đúng
SVHC Vượt Ngưỡng	Đúng
ô tô	Đúng
PPAP	không xác định
danh mục sản phẩm	MOSFET điện
Cấu hình	Đơn
Công nghệ xử ký	OptiMOS
Chế độ kênh	Sự nâng cao
Loại kênh	N
Số phần tử trên mỗi chip	1
Điện áp nguồn xả tối đa (V)	40
Điện áp nguồn cổng tối đa (V)	卤20
Dòng xả liên tục tối đa (A)	50
Điện trở nguồn xả tối đa (mOhm)	7.3@10V
Phí cổng điển hình @ VSS (nC)	23@10V
Sạc cổng điển hình @ 10V (nC)	23
Điện dung đầu vào điển hình @ Vds (pF)	1800@25V
Tản điện tối đa (mW)	46000
Thời gian mùa thu điển hình (ns)	18
Thời gian tăng điển hình (ns)	số 8
Thời gian trễ tắt điển hình (ns)	11
Thời gian trễ bật điển hình (ns)	4
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu (掳C)	-55
Nhiệt độ hoạt động tối đa (掳C)	175
Cấp nhiệt độ nhà cung cấp	ô tô
bao bì	Băng và cuộn
Gắn	Bề mặt gắn kết
Chiều cao gói hàng	2,15
Chiều rộng gói hàng	6,22
Chiều dài gói hàng	6,5
PCB đã thay đổi	2
Chuyển hướng	Chuyển hướng
Tên gói tiêu chuẩn	TO-252
gói nhà cung cấp	DPAK
Số lượng pin	3
Hình dạng chì	cánh mòng biển

Các thẻ：

IPD50N04S4L-08 TO-252 Chíp mạch tích hợp IC mới nguyên chưa sử dụng

BSP613PH6327 SOT223 Chip mạch tích hợp IC

IPD100N04S402ATMA1 Điện tích hợp Ic TO-252

IPD320N20N3G Ic mạch tích hợp TO-252

IPD90P04P4L-04 TO-252 Ic mạch tích hợp trong các trình điều khiển động cơ

Mạch tích hợp Ic XILINX

Mạch tích hợp Ic CHIP

Mạch tích hợp IC gốc