Nguồn gốc:
Nguyên bản
Hàng hiệu:
INFINEON
Số mô hình:
IPD25CN10N3G
Liên hệ chúng tôi
Ứng dụng:
IPD25CN10N3G là MOSFET kênh N phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch nguồn có điện trở thấp, hiệu quả như bộ chuyển đổi DC-DC, quản lý nguồn, bộ nguồn nền tảng, v.v.
Phần kết luận:
IPD25CN10N3G có khả năng bật và tắt tuyệt vời, cho phép chuyển đổi năng lượng hiệu quả ở tần số cao.Điện trở dẫn thấp và tổn thất chuyển mạch thấp có thể giảm tiêu thụ điện năng và tăng nhiệt độ một cách hiệu quả, nâng cao hiệu quả và độ tin cậy của hệ thống.
Thông số:
Điện áp định mức: 100V
Dòng xả tối đa: 25A
Điện trở nguồn xả: 3,3m Ω
Thời gian chuyển đổi điển hình: 20ns
Thời gian dẫn điển hình: 9,5ns
Điện áp dẫn tĩnh: 1.8V
Bao bì: TO-252 (DPAK)
Bao bì:
IPD25CN10N3G sử dụng bao bì TO-252 (DPAK), có ưu điểm là hiệu suất tản nhiệt tốt và dễ lắp đặt, khiến nó phù hợp để sử dụng trong các ứng dụng có không gian hạn chế và mật độ điện năng cao.
|
Gửi yêu cầu của bạn trực tiếp đến chúng tôi
